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 聲表面波器件結構見圖9.9。由圖可見，聲表面WM8786GEDS波器件主要由芯片、外殼構成，芯片通過粘接材料與外殼結為一體，器件是無源的。因此，結構可靠性設計應圍繞外殼的結構、芯片的粘接、擺放以及鍵合等進行。通過結構可靠性設計，不僅使器件的外形尺寸、重量滿足合同要求，而且要有足夠的強度，保證器件在機械環境應力作用下也能穩定可靠地工作，提高器件環境適應能力，達到消除或控制聲表面波器件失效模式的目的。
1.抗力學應力設計
結構示意圖 力學應力對聲表面波器件可靠性影響主要是芯片和引線的斷裂、脫落等。在聲表面波器件抗力學應力設計中，應盡量采用標準外殼封裝結構，因為它們的可靠性是經過大量試驗和現場使用驗證的，且由成熟的工藝和設備來實現。
采用非標準外殼封裝結構或采用新的結構時，應積極借鑒國內外新成果，在滿足體積、重量、pcb抄板成本要求的情況下，對外殼應選擇高強度無損材料，金屬表面采用先進工藝進行強度處理等，加強其強度和剛度；芯片粘貼選擇適當的黏接材料和工藝，選擇適當的擺放位置，與外殼帽間隔一定距離，同時便于芯片的鍵合；盡量縮短內引線長度，甚奎取消內引線。由于當器件固有振動頻率與使用時的振動頻率相同時會發生共振現象，共振時設計的強度和剛度再高也無濟于事。因此必須防止器件，尤其是芯片尺寸較大的器件發生共振。此外，還可采用加強結合部位強度、減小或消除懸空結構、小型化剛性化等設計，使器件的固有頻率遠離使用時的振動頻率。電路板克隆設計時除根據要求合理確定設計方案外，還應通過設計環境模擬試驗來驗證在研產品的抗力學能力和暴露設計缺陷，以不斷改進和完善。
2.冗余設計
聲表面波器件的局部結構薄弱引起的失效模式可以用冗余設計方法進行控制。失效模型是串聯的用并聯冗余結構控制；失效模型是并聯的用串聯冗余結構進行控制。例如引線斷裂的失效模式是屬于串聯型的，故可用并聯的兩條引線結構來控制。
雖然，聲表(biao)面波(bo)器(qi)(qi)件的(de)(de)內(nei)引(yin)線(xian)斷裂(lie)失效(xiao)模式(shi)可考(kao)慮(lv)采用(yong)并(bing)聯(lian)的(de)(de)兩(liang)條引(yin)線(xian)結構(gou)來控(kong)制。但(dan)實際(ji)應(ying)用(yong)較少，一是因為聲表(biao)面波(bo)器(qi)(qi)件芯片上的(de)(de)鍵合(he)區所限，二(er)是顧慮(lv)斷裂(lie)的(de)(de)引(yin)線(xian)在器(qi)(qi)件內(nei)腔(qiang)可能會誤(wu)搭誤(wu)接引(yin)起或造成新的(de)(de)失效(xiao)。